
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中對晶片的在線質(zhì)量控制
用于晶片測量的 CHRocodile 傳感器
半導(dǎo)體和微電子檢測傳感器需要測量晶片的規(guī)格,確定屏幕制造中的結(jié)構(gòu),并在在線質(zhì)量控制過程中檢查接合情況。 此外,還必須需要測量透明涂層,并實(shí)時監(jiān)控機(jī)械和化學(xué)去除過程,以進(jìn)行質(zhì)量控制。
憑借微米范圍內(nèi)的橫向分辨率和亞微米范圍內(nèi)的高分辨率,我公司研發(fā)的 CHRocodile 傳感器滿足了上述所有要求,并且可在惡劣的工業(yè)環(huán)境或潔凈室環(huán)境中提供可靠的測量。
Enovasense傳感器是Precitec公司傳感器產(chǎn)品的補(bǔ)充,它使用激光光熱技術(shù)來測量不透明和半透明涂層的厚度。
測量不透明層的層厚
半導(dǎo)體行業(yè)的晶圓加工會涉及各種涂層和層,例如硬掩模層、金屬化層、背包層、核心半導(dǎo)體和介電層。在測量不透明層方面,光學(xué)或輻射技術(shù)都有其自身的局限性
.相比之下,Enovasense 的激光光熱技術(shù)可以對各種不透明涂層的厚度進(jìn)行非接觸、非破壞性、非侵入性、非輻射、快速、可重復(fù)的測量。
詳細(xì)資料可通過填寫表格下載。
晶片薄化和結(jié)構(gòu)化期間的制程厚度監(jiān)測
隨著晶片的總厚度變化 (TTV) 越來越低、對特定結(jié)構(gòu)表面的要求越來越高,極精確制程厚度監(jiān)測采用的非接觸式和非破壞性測量技術(shù)已經(jīng)成為重要不可或缺的測量方案。
不同的晶片厚度范圍、不同的晶片原材料以及苛刻的在線工藝環(huán)境(例如,由于研磨屑而無法清楚地看到晶片)均是測量技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)。 我公司研發(fā)的 CHRocodile 2 IT、IT DW 系列 和 2 DPS 傳感器能夠穩(wěn)妥可靠地測量各種晶片厚度和材料(摻硅、高摻雜、碳化硅、氮化鎵、磷化銦、塑料、藍(lán)寶石、鉭酸鋰)以及晶片加工狀態(tài)。
防水耐酸探頭和噴水探頭抗磨損,因此降低了運(yùn)行成本, 也可以將這類探頭通過定制化方式集成到不同的工藝機(jī)械中。
通過光學(xué)測量對晶圓厚度的精確監(jiān)測和控制,在我們的白皮書 "CMP and grinding in the semiconductor industry "中有所描述。詳細(xì)資料可通過填寫表格下載。
監(jiān)控晶片彎曲度、翹曲度和總厚度變化
晶片彎曲度、翹曲度或總厚度變化過大是晶片處理和加工面臨的巨大挑戰(zhàn),甚至?xí)?dǎo)致晶片破裂和嚴(yán)重的生產(chǎn)損失。 為了將損失降至最低,需要必須定期對這些尖端的高度均勻性和橫向位置進(jìn)行檢測,以確保最佳的晶片測試結(jié)果。每個探針卡上有數(shù)千個緊密封裝的尖端,因此需要快速同軸測量,最重要的是要做到保證非接觸式計(jì)量。
我公司研發(fā)的非接觸式光學(xué)測量技術(shù)能夠在容易出現(xiàn)晶片彎曲和翹曲的生產(chǎn)環(huán)節(jié)過程中進(jìn)行測量。 CHRocodile 2 IT 和 CHRocodie 2 DPS 傳感器使用靈活,配有緊湊的白光探頭,易于改裝,可測量各種晶片。
切割槽檢測
在材料處理期間或之后監(jiān)測切割槽的深度和寬度可以保障保證達(dá)到要求的處理質(zhì)量。同時還應(yīng)檢測切割槽,確認(rèn)是否有裸片裂紋,否則可能導(dǎo)致裸片破損和高昂的生產(chǎn)損失。 如果晶片不符合標(biāo)準(zhǔn)要求,對切割槽深度和寬度的測量確保可以返工。
為了將切割槽實(shí)現(xiàn)最大部分成像,并盡可能多地發(fā)現(xiàn)裸片裂紋,需要必須采用高橫向分辨率和高精度的測量工具進(jìn)行快速非接觸式測量。CHRocodile CLS 非常適合測量切割槽的深度和寬度。
如果僅需測量寬度,我公司研發(fā)的白光視覺相機(jī) (CVC) 是高速測量的理想不二選擇。
這兩種設(shè)備的成像質(zhì)量都很非常出色,并且與樣品呈直角測量時也不會產(chǎn)生陰影。此外,高度測量非常精確,橫向分辨率非常高,可以測量坡度非常大的樣品。
測量和檢查焊接凸點(diǎn)
晶片級凸點(diǎn)和焊接凸點(diǎn)對于電子互連至關(guān)重要, 測量這些凸點(diǎn)的高度和共面性可保障保證互連質(zhì)量。隨著凸點(diǎn)間距的減小和凸點(diǎn)密度的增加,只有同軸成像才能足夠精確和快速地測量形貌。
CHRocodile CLS 利用同軸成像技術(shù)實(shí)現(xiàn)高精度、高分辨率的測量。 此外,同軸成像技術(shù)以垂直于樣品的角度進(jìn)行測量,因此,即使在間距很小且坡度很大時,也能精確測量凸點(diǎn)形狀。
裸片裂紋檢測
切割過程中的材料處理會對晶片施加壓力,硅片可能會破裂。 可視化切割槽可檢測此類硅片裂紋,否則可能在后續(xù)生產(chǎn)過程中導(dǎo)致裸片破裂。 晶片越薄,破裂的風(fēng)險就越高,檢測這些微小的裂紋就越重要。
白光視覺相機(jī) (CVC) 將高分辨率與高景深相結(jié)合,確保清晰成像,無需自動對焦。 因此,CVC 的快速線掃描節(jié)省了寶貴的時間并提高了產(chǎn)量。
如果僅需測量寬度,我公司研發(fā)的白光視覺相機(jī)(CVC)是高速測量的理想選擇。
晶片和光掩膜調(diào)準(zhǔn)
在光刻過程中,光掩膜和晶片的精確對準(zhǔn)至關(guān)重要, 結(jié)構(gòu)尺寸越小,橫向和平行對準(zhǔn)就需要必須越精確。為了滿足這些要求,需要必須進(jìn)行高度精確的非接觸式測量。
CHRocodile 2 S 的白光共焦和干涉型探測器可滿足這些要求,也適用于半導(dǎo)體行業(yè)的多水準(zhǔn)測量應(yīng)用。 此外,這類傳感器為免維護(hù)型,在生產(chǎn)環(huán)境中可實(shí)現(xiàn)不間斷運(yùn)行。
裸片和晶片粘合
裸片和晶片粘合越來越多地取代了傳統(tǒng)的粘合技術(shù),因?yàn)檫@種粘合方式的粘合部分更小,且可實(shí)現(xiàn)集成電路 (IC) 封裝,并且還降低了芯片的能耗。 但裸片或晶片的高精度調(diào)準(zhǔn)對于確保輸入輸出連接的正確性很至關(guān)重要。
普雷茨特 CHRocodile 2 S、CLS、2 IT 光學(xué)傳感器和白光視覺相機(jī) (CVC) 可測量裸片的精確位置、高度、傾斜度和旋轉(zhuǎn)度,并在粘合過程中實(shí)現(xiàn)精確的晶片對準(zhǔn)。 白光共焦和干涉型傳感器的高精度性能幫助實(shí)現(xiàn)出色的保證了最佳的粘合效果。
此外,速度測量也可實(shí)現(xiàn)制程檢測,因此提高了產(chǎn)量,且可在生產(chǎn)過程中去除有缺陷的粘合片。
探針卡檢測
通常采用探針卡在成品晶片上進(jìn)行電路測試。 探針卡上有許多微小的尖端,分別接觸晶片上的每個裸片,并發(fā)出測試信號。 需要必須定期對這些尖端的高度均勻性和橫向位置進(jìn)行檢測,以確保最佳的晶片測試結(jié)果。每個探針卡上有數(shù)千個緊密封裝的尖端,因此需要快速同軸測量,最重要的是要做到保證非接觸式計(jì)量。
CHRocodile CLS 線傳感器和白光視覺相機(jī)中的白光共焦技術(shù)可確保快速穩(wěn)妥可靠的檢測,并具有極高的橫向和軸向精度。














